Материал портала ядерных знаний BelNET
статья/документ по запросу ресурса "116"
Ионная имплантация Метод внедрения ускоренных ионов в материалы (металлы, полупроводники, диэлектрики) с целью модификации их структуры и эксплуатационных свойств.
Имплантируемые ионы делят на:
- легкие: М<20 (В, N, O);
- средние: 20<М<60 (Si, P, S, Ar);
- тяжелые: М>60 (Zn, As, Se, Sb).
Интервал энергий ускоренных ионов разделяют на три диапазона:
- низкоэнергетическая имплантация. На практике к низкоэнергетическим относят ионные имплантеры, ускоряющие частицы до энергии 1-10 кэВ. В этом диапазоне энергий доминирующими оказываются ядерные столкновения иона с атомами твердого тела.
- среднеэнергетическая имплантация. Наиболее перспективной в машиностроении сегодня представляется имплантация ионов средних энергий. К ионам средней энергии относят частицы с энергией 10^1-10^3 кэВ.
- высокоэнергетическая имплантация. К высокоэнергетической ионной имплантации относят обработку ионами, энергия которых превышает 10^3 кэВ.
Загрузить:
|
Вход, регистрация
