Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI (Tl) и CsI (Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий
2026-09-28 14:27:10
Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI (Tl) и CsI (Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий
Исследована зависимость удельного световыхода L/E от энергии E в области 5,9...60 кэВ в процессе старения кристаллов CsI(Na) и для CsI(Tl) с различным содержанием активатора и для разных условий светособирания. В противоположность литературным данным об увеличении L/E в области ~15кэВ (так называемая непропорциональность световыхода до +24%) показано, что величина непропорциональности и ее знак в решающей степени определяются условиями светособирания (типом отражателя) и в меньшей степени сцинтилляционным материалом (концентрацией центров свечения). Между непропорциональностью и энергетическим разрешением наблюдается четкая корреляция даже в области низких энергий, где ее вклад в разрешение полагают пренебрежимо малым. Сделан вывод о том, что непропорциональность световыхода по отношению к энергии не является фундаментальным свойством сцинтиллятора, а проистекает (как и разрешение) из особенностей светособирания для квантов с разной глубиной проникновения и протяженностью вспышки.